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新款SiC/Si混合IGBT面世 结合能源和成本效益

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发表于 2019-5-14 16:19:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
据外媒报道,在2019年欧洲PCIM电力电子贸易展上,安森美半导体公司展示新款基于碳化硅的混合IGBT(绝缘栅双极型晶体管),以及隔离高电流IGBT门驱动器。这些产品采用硅基IGBT,结合SiC肖特基二极管技术,充分利用SiC技术的效率优势和硅的成本优势。
AFGHL50T65SQDC采用最新的场截止式IGBT和SiC肖特基二极管技术,在多种电力应用中,降低传导损耗和开关损耗,包括那些将受益于反向恢复损耗减少的应用,如基于图腾柱的无桥功率因数校正和变流器。硅基解决方案性能较低,完全基于SiC的解决方案成本又较高,该器件将硅基IGBT与SiC肖特基势垒二极管联合封装,在性能和成本之间实现良好平衡。它的额定工作电压为650V,能处理高达100 A @ 25°C (50 A @ 100°C)的连续电流,以及高达200 A的脉冲电流。对于需要更大电流能力的系统,正温度系数让并行操作变得简单易行。
现代电动汽车不仅依靠能源行驶,在某些情况下,还可以储存能源,在高峰时间为家庭供电。因此,需要一个双向充电器,能够高效率开关充电,确保能源在传输过程中不致浪费。在此类用例中,带有外部SiC二极管的IGBT,比MOSFET解决方案更加有效,因为没有正向或反向复置损失。AFGHL50T65SQDC可以在最高175℃的结温下工作,适用于要求非常严格的电力应用,包括汽车在内。另外,它完全符合AEC-Q101标准,可用于电动汽车和混合动力汽车车载充电器。
除了新款混合IGBT,安森美半导体还将在PCIM上发布一系列隔离高电流IGBT驱动器。NCD(V)57000系列针对多种电力应用,包括太阳能变流器、马达驱动器、不间断供电系统(UPS)和汽车应用,如动力系统和PTC加热器。
NCD(V)57000系列是高电流单通道IGBT驱动器,采用内部电流安全隔离设计,可在要求高的电力应用中高效运行。该器件具有互补输入、开路漏极故障和就绪输出、有源米勒箝位、精准欠压锁定、软关断去饱和DESAT保护、负门极电压引脚和独立高低驱动器输出,实现系统设计的灵活性。它的额定电流隔离值大于5 kVrms,符合UL1577标准;工作电压高于1200V;保证8mm爬电距离(输入>输出),可满足强化安全隔离要求。NCD(V)57000可产生7.8A驱动电流和7.1A汲电流,超过若干竞品的三倍。更重要的是,在开关波形中的米勒高原运行时,电流能力更强。加上领先的保护功能,堪称为一流的IGBT驱动器。

本文封面图来源于图虫创意
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